HCE41K256M16BN是一款4Gb DDR3L SDRAM，DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3 SDRAM(1.5V)的低压版本，最高数据传输速率可达1866Mbps。
◆容量：4Gb，8n-bit预取结构
◆存储结构：256 Meg×16 bit或512 Meg×8 bit
◆向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V
◆8n-bit 预取结构
◆差分时钟输入(CK和CK#)，最高时钟频率933MH
◆支持刷新、自刷新和自动刷新模式
◆支持标称ODT和动态ODT(ODT, on-die termination)
◆可编程CAS读延迟(CL, CAS Latency)
◆可编程CAS附加延迟(AL, Additive Latency)
◆可编程CAS写延迟(CWL, CAS Write Latency)
◆牢靠突发长度(BL, Burst Length)：8
◆牢靠突发终止(BC, Burst Chop)：4
◆传输中(OTF, on-the-fly)可选的BC4或BL8
◆HCE41K256M16BN详细规范：Q/RB 50563-2023
