HCE40A1G8MB是一款8Gb DDR4 SDRAM，8bit预取机制，同样内核频率下理论速率是DDR3的两倍，时钟频率1600MHz，事情电压低至1.2V。
◆容量：8Gb，8n-bit预取结构
◆存储结构：1G×8 bit
◆事情电压：VDD=VDDQ=1.2V（1.14V～1.26V），VPP=2.5V（2.375V～2.75V）
◆牢靠突发长度(BL, Burst Length)：8
◆牢靠突发终止(BC, Burst Chop)：4
◆可编程CAS读延迟(CL, CAS Latency)
◆可编程CAS写延迟(CWL, CAS Write Latency)
◆支持标称ODT、静态ODT和动态ODT(ODT, on-die termination)
◆支持数据总线反转(DBI, Data Bus Inversion)
◆支持自刷新和自动刷新
◆支持下令地点(CA, Command Address)奇偶校验
◆支持写入循环冗余代码(CRC, Cyclic Redundancy Code）
◆HCE40A1G8MB详细规范：Q/RB 50571-2022
