HCE51100DGQ是一款灌电流和拉电流为3A的终端稳压器 。
HCE51100DGQ能够坚持快速瞬态响应，最低仅需20μF输出电容 。HCE51100DGQ支持远端采样功效并且能为DDR和DDR2的VTT总线端提供供电电源，当VDDQ为1.5V时能够知足DDR3 VTT的电源要求 。
别的，HCE51100DGQ包括完整的休眠控制，在S3模式（待机模式）时将VTT设置为高阻态，在S5模式（休眠模式）时VTT和VTTREF处于软关断状态 。
HCE51100DGQ接纳铜镀锡框架与环氧塑封质料组装而成的10引脚MSOP10封装结构 ，事情温度在-55℃～+125℃ 。
◆ 接纳SMT工艺塑封封装
◆ 输入电压规模：4.75V~5.25V
◆ VLDOIN输入电压规模：1.2V~3.6V
◆ 具有压降赔偿功效的拉电流和灌电流
◆ 支持S3信号和S5信号输入时的软关断模式
◆ 所需最小输出电容为20μF
◆ 远端采样(VTTSNS)
◆ 10mA缓冲基准(VTTREF)
◆ 内置软启动、欠压锁定和过流�；�
◆ 带有散热焊盘的10引脚MSOP PowerPAD封装
◆ 支持DDR、DDR2、DDR3应用
◆ 事情温度(TC)：-55℃～+125℃
